• 设为首页
  • 收藏本站
  • 登录 立即注册
    • 快捷导航
    快下载»版块 › 文档下载 › 技术资料 › 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 G ...
    返回列表 发新帖

    [冶金矿产] 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 GB/T 26070-2010

    [复制链接]
    发表于 2021-11-10 11:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
    本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
    本文档为标准规范文档。
    化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 GB/T 26070-2010
    发布日期：2011-01-10
    实施日期：2011-10-01
    标准文件有14页。
    化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 GB_T 26070-2010.pdf (343.95 KB)
    损伤的, 抛光, 半导体, 化合物, 导体, 损伤

    相关帖子
    回复

    使用道具 举报

    返回列表 发新帖

    下载列表 Archiver 手机版 小黑屋 快下载

    快速回复 返回顶部 返回列表