本规范规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管(以下筒称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
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标准号:SJ 20062-1992
标准中文名:半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
标准的英文名:Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG210
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
标准文件有11页。
半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范 SJ 20062-1992.pdf
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发表于 2021-12-16 19:23