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[信息电子] 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 GB/T 36646-2018

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发表于 2022-1-22 12:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径50.8  mm~152.4  mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
本文档为标准规范文档。
标准号:GB/T 36646-2018
标准中文名:制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
标准的英文名:Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
发布日期:2018-09-17
实施日期:2019-01-01
标准文件有18页。
制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 GB_T 36646-2018.pdf (935.77 KB)
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