本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量(原子数)测试范围从1 X 10?16 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0..5 X 10·15 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。
本文档为标准规范文档。
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-2018
发布日期：2018-09-17
实施日期：2019-06-01
标准文件有11页。
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB_T 1557-2018.pdf
(742.41 KB)
|
|
发表于 2022-1-21 15:57